RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
20.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3241
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link