RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
44
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость чтения
22.4
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
22.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
19.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
4251
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link