RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
77
Около -133% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3595
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link