RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
77
Rund um -133% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
14.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3595
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link