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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
77
左右 -133% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
33
读取速度,GB/s
3,405.2
17.2
写入速度,GB/s
2,622.0
14.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3595
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
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