RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
44
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
12.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2256
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
AMD R5316G1609U2K 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link