RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
7.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
44
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2104
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link