RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
54
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.3
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
54
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
10.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2259
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link