RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
44
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2831
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link