RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Сравнить
Kingston KVR533D2N4 512MB против G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston KVR533D2N4 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
75
Около -200% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
1,672.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
4200
Около 4.05 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
25
Скорость чтения, Гб/сек
1,943.5
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,672.1
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
17000
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
301
4039
Kingston KVR533D2N4 512MB Сравнения RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link