RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Kingston KVR533D2N4 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR533D2N4 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
75
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,672.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
25
Prędkość odczytu, GB/s
1,943.5
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,672.1
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
301
4039
Kingston KVR533D2N4 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MDT Technologies GmbH MDT 512M DDR2-66 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link