RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
50
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3017
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 99U5315-035.A00LF 1GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link