RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Comparez
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Note globale
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Note globale
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
50
Autour de -117% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,457.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,757.3
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,457.4
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
557
3017
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link