RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
50
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3017
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link