RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
44
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
20.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3826
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link