RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
44
Autour de -63% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.6
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
20.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
18.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
3826
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link