RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,978.2
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
66
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
3136
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link