RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
66
77
Около 14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.9
2,978.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
77
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
11.9
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
1517
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Lenovo LMKUFG68AHFHD-32A 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link