RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
64
66
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.1
2,978.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
64
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
16.5
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
2016
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link