SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 17.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,978.2 14.5

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 66

Около -154% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

66 26
Скорость чтения, Гб/сек

2,929.1 17.7
Скорость записи, Гб/сек

2,978.2 14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

511 3547

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB

модули RAM

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

AMD R744G2400U1S 4GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB

Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

Kingston KHYXPX-MID 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Kingston 9965589-017.D00G 8GB

Kingston 9965589-017.D00G 8GB

модули RAM

Kingston KF2666C16S4/16G 16GB

Kingston KF2666C16S4/16G 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB

Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB

модули RAM