SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Kingston 9905630-052.A00G 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Средняя оценка

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 14

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,978.2 11.5

Среднее значение в тестах

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

Причины выбрать
Kingston 9905630-052.A00G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 66

Около -120% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

66 30
Скорость чтения, Гб/сек

2,929.1 14.0
Скорость записи, Гб/сек

2,978.2 11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

511 2408

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB

Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB

Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G

модули RAM

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

модули RAM

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB

модули RAM

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

AMD R534G1601U1S-UO 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB

модули RAM