SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Kingston 9905678-024.A00G 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Средняя оценка

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 15.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,978.2 10.5

Среднее значение в тестах

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905678-024.A00G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

29 66

Около -128% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

66 29
Скорость чтения, Гб/сек

2,929.1 15.7
Скорость записи, Гб/сек

2,978.2 10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

511 2365

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB

Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston 99U5713-002.A00G 4GB

Kingston 99U5713-002.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905678-005.A00G 8GB

Kingston 9905678-005.A00G 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Kingston 99U5402-052.A00G 4GB

Kingston 99U5402-052.A00G 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB

модули RAM

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Kingston HP669238-071-HYC 4GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB

Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB

Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB

Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

модули RAM