RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
2,978.2
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
66
Около -175% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
24
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
20.6
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
3870
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link