RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,978.2
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
66
Около -74% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
14.0
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
2055
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link