RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
66
Около -187% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
2,978.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
2532
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link