RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB против Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Средняя оценка
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,978.2
15.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
66
Около -120% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,929.1
18.4
Скорость записи, Гб/сек
2,978.2
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
511
3694
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Сравнения RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link