RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,076.1
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
59
Около -69% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
35
Скорость чтения, Гб/сек
4,723.5
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,076.1
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
741
3306
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link