RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,076.1
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
59
Около -111% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,723.5
18.2
Скорость записи, Гб/сек
2,076.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
741
3384
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link