RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
65
68
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
16.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.6
2,784.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
68
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
1924
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link