Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Средняя оценка

Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

65 68

Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения

4 16.4

Среднее значение в тестах

Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB

Причины выбрать
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

8.6 2,784.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

65 68
Скорость чтения, Гб/сек

4,806.8 16.4
Скорость записи, Гб/сек

2,784.6 8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

932 1924

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB

Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB

SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB

A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB

G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Kingston KF2933C17S4/32G 32GB

Kingston KF2933C17S4/32G 32GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB

модули RAM