RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
65
68
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
2,784.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
68
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
8.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
1924
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link