RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
59
Около -146% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.3
2,076.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,723.5
12.7
Скорость записи, Гб/сек
2,076.1
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
741
2256
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link