RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
12.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
59
Около -90% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.4
2,076.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
31
Скорость чтения, Гб/сек
4,723.5
12.5
Скорость записи, Гб/сек
2,076.1
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
741
2361
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link