RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB против Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,013.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
68
Около -79% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
38
Скорость чтения, Гб/сек
4,402.8
15.5
Скорость записи, Гб/сек
2,013.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
701
2283
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link