RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
69
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
5
13.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.5
2,381.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
69
Скорость чтения, Гб/сек
5,082.2
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,381.6
6.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
925
1598
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link