RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,381.6
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
60
Около -30% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
46
Скорость чтения, Гб/сек
5,082.2
11.6
Скорость записи, Гб/сек
2,381.6
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
925
2469
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link