RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2236
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link