RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2236
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
AMD AE34G2139U2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS32G52D5 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link