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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
24
Autour de -4% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
23
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2236
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