RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
24
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
23
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2236
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kllisre 0000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link