RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
60
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.4
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
2,381.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
38
Скорость чтения, Гб/сек
5,082.2
9.4
Скорость записи, Гб/сек
2,381.6
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
925
2110
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link