RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8,883.4
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
44
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
37
Скорость чтения, Гб/сек
14,740.4
21.4
Скорость записи, Гб/сек
8,883.4
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2811
3448
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link