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SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
比较
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
总分
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
总分
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8,883.4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
44
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
14
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
37
读取速度,GB/s
14,740.4
21.4
写入速度,GB/s
8,883.4
14.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2811
3448
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kllisre 0000 8GB
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