RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8,883.4
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
14
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
28
Скорость чтения, Гб/сек
14,740.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
8,883.4
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2811
3104
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology H641GU67G1600G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link