RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
44
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
14
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.7
8,883.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
22
Скорость чтения, Гб/сек
14,740.4
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8,883.4
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2811
2633
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link