RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Compara
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB vs Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Puntuación global
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
44
En -100% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
14
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8,883.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
22
Velocidad de lectura, GB/s
14,740.4
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8,883.4
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2811
2633
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP112U72CP8-S6 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link