RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сравнить
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
117
Около -185% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.3
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.9
2,303.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
117
41
Скорость чтения, Гб/сек
3,094.8
9.3
Скорость записи, Гб/сек
2,303.7
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
784
2044
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AW 2GB
Kingston 9905315-124.A00LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-UH 32GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link