RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
68
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.3
1,670.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,554.9
19.4
Скорость записи, Гб/сек
1,670.7
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
3726
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link