RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
68
122
Около 44% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.4
3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
5.8
1,670.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
122
Скорость чтения, Гб/сек
3,554.9
9.4
Скорость записи, Гб/сек
1,670.7
5.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
1411
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
INTENSO 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link