RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB против Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
63
Около -117% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,583.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,895.6
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,583.7
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
639
3597
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link