RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сравнить
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
3,071.4
15.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
70
Около -150% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
70
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,372.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
3,071.4
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
3693
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB Сравнения RAM
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KW6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link