Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB против Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

-->

Средняя оценка

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Средняя оценка

Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Причины выбрать
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 15.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

3,071.4 10.7

Среднее значение в тестах

Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

Причины выбрать
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 70

Около -106% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

70 34
Скорость чтения, Гб/сек

4,372.7 15.3
Скорость записи, Гб/сек

3,071.4 10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

668 2796

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB

Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

INTENSO 5641152 4GB

INTENSO 5641152 4GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

модули RAM

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Kingston KHX2400C15/8G 8GB

Kingston KHX2400C15/8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

модули RAM

Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB

Kllisre KHX1866C10D3/8G 8GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

модули RAM

Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

Kingston KHX16LC9/8GX 8GB

Kingston 9905665-009.A00G 4GB

Kingston 9905665-009.A00G 4GB

модули RAM